На рис. 11,а изображена гипотетическая изотерма для
системы CaO—Si02—НгО. Участок 1 равновесной изотермы
соответствует сосуществованию двух фаз—раствора и Si02, так как в этой трехкомпонентной системе,
при заданных температуре и давлении, можно произвольно менять концентрацию
раствора в пределах этого участка. Затем следует резкий подъем равновесной
кривой, представляющей здесь прямую, перпендикулярную к оси концентраций. В
этой области уже нельзя изменить концентрацию раствора произвольно.
Следовательно, система имеет только две степени свободы (температура и
давление), что соответствует сосуществованию трех фаз: а) раствора, б)
твердого, не прореагировавшего Si02, и в) новой твердой фазы—силикат кальция.
Дальнейшее поглощение СаО приводит только к изменению соотношения между
количеством твердых фаз в осадке, уменьшается количество БЮ2 и возрастает
количество силиката кальция. Концентрация СаО может снова увеличиваться только
при исчезновении одной из твердых фаз — ЗЮ2. На данной схеме это
происходит
в
точке, где = 1 . Участок 2, соответствует полному превращению ЭЮ2 в
СаО • ЭЮ2 ' ад.
В случае, если могут образоваться еще более основные силикаты, процесс
поглощения СаО продолжается, причем новому подъему равновесной кривой будет соответствовать
сосуществование силикатов СаО • 5Ю2
• а<7 и
ЗСаО • 2ЭЮ2
• а# и т. д., пока, наконец, при концентрации Сн, соответствующей
растворимости Са(ОН)2, не начнется выделение Са(ОН)2 в
твердой фазе. Однако для данной системы, где исходный силикагель и образующиеся
силикаты находятся' в коллоидном состоянии, характеризующемся высокоразвитой
поверхностью, объемной химической реакции, приводящей к образованию новых
соединений в твердой фазе, должны предшествовать стадии поверхностных реакций.
В этом случае горизонтальные участки на кривой рис. 11,а, характерные для
кристаллических тел, у которых роль поверхностных процессов исчезающе мала,
заменяются изотермами поверхностной сорбции, переходящей после завершения
поверхностных процессов в объемное взаимодействие, как это схематически
показано на рис. 11,6.